提高误差放大器的增益,使功率电路,以减少剩余纹波。当误差放大器的增益增加时,增益变量的量成为负反馈,输出电压的纹波分量可以降低到相同的值。在电路中,误差放大器采用共射放大器电路,以增加误差放大器的增益,使残余纹波进一步降低功率电路。当误差放大器的增益增加时,增益变量的量成为负反馈,输出电压的纹波分量可以降低到相同的值。在电路中,采用共发射极电路在负载电路中使用的电阻负载极放大电路误差放大器是使用jfft(结型FET)共发射极电路。由于内部电阻电路几乎是无限的,所以常见的发射极电路的增益是非常大的。当JFET的栅极和源极连接,可以作为一个电流源使用。设置电流源在这个时候是结型场效应管的漏极饱和电流IDSS本身。所谓的智能型,是一种在最大电流（是不损坏器件为限界,在JFET中不能流过IDSS以上的电流）流之间的泄漏源。通常,JFET是根据（即使是同一品种,JFET的IDSS也有很大的分散性,所以可进行分档）对入侵检测系统的分类,和电流源的电流值等于设定bp5035a5 IDSS JFET。除了JFET的选择、电路的设计方法具有相同的(除了JFET之外,电路其余的常数均与图10.5相同）是相同的。该电路采用结型场效应管,如果系统文件[工业电器网-中国工业电器网]所需的值,不管它可以。在这里,选择通用的N沟JFET和2sk330（东芝）。即使P沟道JFET的使用并不重要,但在这个时候的设备连接方法如图10.17所示(b),注意。那么它的入侵检测系统。等级的选择。根据误差放大器的共射极电路上的集电极电流的电流设定值,选择误差放大器的级。在图10.16所示的电路中,共发射极电路集电极电流设定在IMA###以上bthkh7khbth###,所以系统在1.2 ~ 3.oma文件（参考表10.1的IDSS分类）选择。即使在同一个文件,idsks的JFET具有分散。电路中的共发射极电路中,集电极电流,即使是1.2ma或3.2ma,对电路的工作没有影响,并不是一个问题。然而,电流源设置影响电路的直流电位和工作点,不使用JFET,而应该用电流源晶体管。在这个电路中,为了进一步降低剩余纹波输出,该晶体管对误差放大器的使用,大超B晶体管2sc3113代替2sc2458。作为超级P晶体管HFE大,误差放大器的赤裸裸的增益增大,所以剩余纹波进一步降低。