一个morimi(ON Semiconductor)VCE(sat)推出新系列的高性能双极晶体管(BJT),降低产品电路的总成本,并为各种应用,如移动电话、PDA和便携式媒体播放器、笔记本电脑和数码相机,提供更多的…一个morimi(ON Semiconductor)推出的高性能双极晶体管的VCE(sat)(BJT)新系列,该产品以减少总的电路的成本,和各种应用,如手机、PDA和便携式媒体播放器、笔记本电脑和数码相机,提供更高的功率效率和更长的电池寿命。低Vce(sat)BJT微型表面贴装器件、低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力的特点,设计了低电压高速开关应用和高控制要求和设计能源效率。理想的应用包括稳压器管理和电池充电和低电压降稳压器和振荡器马达和LED背光和电池管理和磁盘驱动器控制和相机闪光灯。为了帮助已削减的便携式和无线产品制造商的设计方面成本的巨大压力下,在模拟集成电路的morimi半导体,转向分立元件,以获得可能的成本节约。利用硅技术加强先进封装,开发了BJT小和成本高的新系列,它提供了一个低饱和电压性能和RDS(on)性能的离散的解决方案是昂贵的。[morimi半导体工业电器网-中国工业电器网]集成稳压器产品的小信号产品营销经理Wes Reid说:“对“采用新型低VCE(sat) BJT,我们已成功帮助一些客户实现了每个电路0.1美元的成本节约。安森美半导体工程小组也正加快开发新一代低VCE(sat) BJT 器件,它们可将等效RDS(on)再降低50%,为更多的用户和其应用提供这种成本节约型技术。”(ESD)一morimi VCE(sat)晶体管半导体模型的抗静电能力很强,可以帮助防止敏感元件损坏。优良的电气性能和较低的温度系数可以提高稳压器效率,并最终节省电池功率。通过减少具体应用设备号,这些新的晶体管可以进一步降低材料的单(BOM)。在小于1伏的低导通电压后,不需要一个典型的电荷泵。因为他们有双向阻断能力,它是没有必要阻止二极管。Low BJT VCE(sat)系列采用多种套餐,包括SOT-23和sc-88和SC - 74和TSOP-6、ChipFET,每10000件0.07美元到0.16美元的批发价。