DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统。采用IC或2.5V稳压器电压内存1.8V,需要等于稳压器电压的参考电压（VREF=VDD/2）。此外,每个逻辑输出连接到一个电阻,和DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统。采用IC或2.5V稳压器电压内存1.8V,需要等于稳压器电压的参考电压（VREF=VDD/2）。此外,每个逻辑输出连接到一个电阻,等于和跟踪的VREF电压VTT。同时,VTT = VREF + 0.04v必须提供源的电流源或汇。图1显示了提供终端电压1.8V和2.5V两个记忆系统的电路,可以输出高达6A的电流。IC1具有降压控制器和2线性稳压器。IC1的输入电压为4.5 ~ 28V。200khz IC1的固定频率PWM控制器提供源和-中国工业电器网]吸收工业电网电流保持输出电压。源电流等于最大吸收电流,但没有电流限制吸收功能。当IC1吸收电流,有电流返回稳压器输入。为了实现跟踪功能,一为IC1的附加线性稳压器控制器被配置为一个反相放大器。该放大器比较VDD / 2（由R1和R2产生）从IC1的VREF来产生一个误差信号是通过R3 IC1的FB引脚,这迫使VOUT跟踪VDD的/ 2。为了实现高精度的跟踪,一个10mA的负载电阻R4,用于反相放大电路提供偏置。当VDD 1 ~ 4V,输出可以跟踪D / 2 VD。图1的电路可以为DDR同步DRAM产生端电压。